利用YWC-I型液相外延炉,用过冷法和平衡相结合的外延方法,用掺Si的(100)面的n-GaAs为衬底,通过改变恒温温度、恒温时间,降温速率,外延溶液的饱和度和杂质浓度等参数,获得了不同特性的GaAs层和ALxGa1-x层。研究了外延溶液中Al/Ga重量比率与AlxGa1-xAs层中X值的关系,摸索出了获得高X值,低晶格失配率的AlxGa1-xAs层的工艺条件。真空蒸镀AuGeNi合金,在氢气气氛中烧结,形成具有欧姆接触的背电极,并利用合金中的Ge取代Ga原子,形成强n型,产生背场效应。正电极用Zn-Ag合金掩模蒸镀在AlxGa1-xAs层上,最后在正面蒸发SiO减反射膜,获得光电转换效率为17%的太阳电池。为减少电池表面的遮光面积,研究了光刻技术等工艺。发表论文一篇,申报了一项专利。
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数据更新时间:2023-05-31
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