镍氧化物半导体材料结构与电极插层反应机理研究

通过研究α-Ni（OH）2的精细结构，确定NiO2层间存在H2O及其他阴离子，加入代位原子Co、Al可制得稳定存在的α-Ni（OH）2，且电子转移数提高约30%，工作电压提高约70mV。锂镍氧化物具有与镍氢氧化物相似的层状结构，在LiNiO2中加入Co、Mn等代位原子亦可以显著改善电极性能。首次制备了氢氧化镍—石墨插层化合物，通过XRD、XPS测试确定合成的Ni（OH）2-GICs具有不同于氢氧化镍和碳材料的结构，其中镍原子的电子转移数可达2，Ni（OH）2-GICs的研究为提高镍电极的性能提供了新思路。采用交流阻抗法研究Ni（OH）2电极的电化学阻抗，并通过Mott-Schottky方程研究其半导体特性，探索半导体特性与电极结构及电化学性能的关系，该项研究有待深入。通过本研究共发表论文6篇。