均一尺寸氧化锌纳米线阵列的构筑及相关物性研究

作为重要功能纳米材料的代表，II-VI 族ZnO半导体纳米结构材料的研究已经并且持续成为全球注目的焦点。因为它是宽直接带隙（3.4eV）半导体材料且具有较大的激子结合能（60 meV），所以ZnO材料具有极好的热稳定性和独特的光、电特性。发展ZnO纳米结构材料将会对未来可预见纳米光、电器件的实现打下坚实的物质基础。本项研究正是基于这样一个着眼点，创新性地将微、纳加工技术与物理和化学制备技术相互集成，首先构造出各种纳米级金属催化剂有序阵列膜板，其次，利用优化的湿化学方法和物理气相沉积技术富有成效地构造尺寸均一、形貌和大小可控的规模化ZnO纳米线阵列，并以此为基础，研究所获得的ZnO 纳米线阵列体系的光、电特性，以期为氧化锌纳米线阵列在未来大功率紫外激光器、高灵敏性纳米传感器、纳米场发射器件以及纳米压电发电器件的构建和实际应用方面提供实践基础。