氧化锌纳米线阵列的气相沉积制备及特性研究

运用气相转移没积方法生长单晶ZnO半导体纳米级及其阵列，研究①纳米阵列在光场泵浦和电场激励下的紫外激光发射行为；②单根纳米线的电极引出、电学接触、量子电导及组分pn结电学特性学问题。该研究可获得电场激励的低能量总阈值短波长半导体激光器，用于超高密度信息存储等；由半导体纳米线形成的pn结可以作为纳电子电路的基本组部件。