纳米多孔GaN材料及其作为外延生长衬底的探索
基本信息
批准号：60676060
项目类别：面上项目
资助金额：8.00
负责人：于广辉
学科分类：
依托单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
批准年份：2006
结题年份：2007
起止时间：2007-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：隋妍萍,雷本亮,王新中,李存才,曹明霞,劳燕锋,王笑龙
关键词：
多孔刻蚀HVPEGaN纳米
结项摘要
纳米多孔GaN材料既具有宽禁带半导体材料的优势，又具有与普通GaN薄膜材料不同的光电和结构性质，在发光器件、外延衬底材料等方面具有广泛的应用前景，但到目前为止对于材料本身及相关应用探索才刚刚开始。本项目计划采用多孔氧化物掩膜结合干法刻饰获得纳米多孔GaN材料，并对高深宽比GaN材料刻饰机理进行研究；针对材料本身的结构、光学、应力等特性进行系统深入的分析；通过开展以纳米多孔GaN为衬底的厚膜GaN材
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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