光盘存储薄膜结构和记录畴微结构的研究

用STM、AFM和HR-TEM研究了可录CD（CD-R）光盘的伺服槽结构和有机光存储介质的记录畴结构，从微区结构可以看出光盘的记录机理，研究了微区结构和光盘的记录特性的关系。用绿色激光（波长514nm）在可擦重写相变光盘上进行了记录和擦除的试验，用AFM和HR-TEM对单层记录介质GeSb2te4层和多层膜的记录畴进行了观察和研究。用热扩散模型模拟计算了瞬态温度场院的变化以及可能的相变过程并与记录畴结构的实验结果相比，从而了解到相变的动态过程。上述研究结果对改进一次记录光盘和可擦重写光盘的性能以及制盘工艺和记录参数起到了积极作用；为进一步发展高密度光盘存储技术建立了一定的基础。