集成电路引脚无铅覆层的锡须生长抑制

集成电路封装引脚表面需镀一层Sn基合金钝化层，以增强回流过程中与焊料的反应能力。无铅化的纯Sn镀层表面在某些情况下会长出长达数百微米的晶须，在电子器件服役过程中会导致电路短路等严重的可靠性问题，成为即将到来的无铅化时代亟待解决的几个关键问题之一。本项目旨在利用电迁移这一创新手段实现恒温加速晶须生长，研究可能影响晶须生长的各种因素，改进现有的空气环境晶须生长抑制方法。并对真空环境中的晶须生长问题进行深入研究，从而找出真空条件下能够有效抑制无铅覆层晶须生长的方案，为微电子工业提供设计、工艺、材料等方面的技术支持和指导，以提高集成电路引脚无铅镀层的可靠性，使我国微电子领域的无铅化进程与全球无铅化进程同步。由此可见，本课题具有非常明确的研究目的和强大的工业背景，同时又是一个亟待解决的材料科学与微电子科学交叉领域。