单片式红外速加热真空锗硅化学气相外延系统研究

研制开发一套高真空红外快速加热锗硅化学气相SiGe/Si外延系统。该HV/CVD设务主要由五部分组成：外延生长室及其加热控温系统，装片室，气路系统，真空机组，以及计算机软硬件控制系统。该设备电热石墨板作为辐射热源可确保大直径4″硅片加热均匀，小容积扁平石英腔外延长反应室具有的均匀气流和快速切换反应气体特性，可使外延层厚度均匀、界面陡削。利用该设备在550-900℃温度范围内对SiGe/Si的外延生长条件研究结果表明：4″外延片不同厚度差别小于测量仪器（SEM）分辩率：SiGe/Si外延层Raman谱。X射线双晶衍射，透射电镜结构分析均表明具有完好的晶体质量。