采用高温溶液缓慢自动降温法,系统地研究了Cr:KTP晶体生长规律,找到了较优良的晶体生长条件,生长出均匀透明尺寸为厘米级的Cr:KTP晶体。采用各种不同用途的光谱仪,确定了Cr;KTP晶体作为自倍频激光晶体的最佳化掺质浓度为0.03at%,Cr(3+)离子进入了TiO6八面体而取代了Ti格位,出现了位于840nm处理荧光峰,初步测定的激光自倍频能量转换效率大约为1%。为了提高Cr:KTP晶体自倍频光的输出,从理论上计算了外加电场对晶全的相位匹配和有效倍频系数的影响。探索了Cr(4+):KTP晶体生长,由于Cr(4+)离子的配位为4,Cr(4+)很难进入KTP晶体结构TIO6八面体中而取代Ti格位,说明了掺质进入晶体结构是有选择性的。生长出无色透明的片状晶体,并在生长KTNP晶体基础上,研究了KTNNP晶体。
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数据更新时间:2023-05-31
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