Ca3+:KTP-Cr4+:KTP晶体生长与相关性能研究

基本信息
批准号:59472007
项目类别:面上项目
资助金额:8.00
负责人:张克从
学科分类:
依托单位:北京工业大学
批准年份:1994
结题年份:1997
起止时间:1995-01-01 - 1997-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:张克从,王稀敏,张红,江少林,魏明,常新安,蒙东升
关键词:
自倍频激光Cr3+:KTP可调谐激光Cr4+:KTP
结项摘要

采用高温溶液缓慢自动降温法,系统地研究了Cr:KTP晶体生长规律,找到了较优良的晶体生长条件,生长出均匀透明尺寸为厘米级的Cr:KTP晶体。采用各种不同用途的光谱仪,确定了Cr;KTP晶体作为自倍频激光晶体的最佳化掺质浓度为0.03at%,Cr(3+)离子进入了TiO6八面体而取代了Ti格位,出现了位于840nm处理荧光峰,初步测定的激光自倍频能量转换效率大约为1%。为了提高Cr:KTP晶体自倍频光的输出,从理论上计算了外加电场对晶全的相位匹配和有效倍频系数的影响。探索了Cr(4+):KTP晶体生长,由于Cr(4+)离子的配位为4,Cr(4+)很难进入KTP晶体结构TIO6八面体中而取代Ti格位,说明了掺质进入晶体结构是有选择性的。生长出无色透明的片状晶体,并在生长KTNP晶体基础上,研究了KTNNP晶体。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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