在Si基底上外延生长钙钛矿氧化物薄膜和多层膜研究

钙钛矿结构氧化物具有介电、铁电、光电、压电、热电、超导、巨磁电阻及非线性光学等一系列重要的特性和效应，如果能把钙钛矿氧化物外延生长在Si基底上，不仅是一种新的结构和材料，而且可以把氧化物的功能特性和硅电子学结合起来，进而实现多功能氧化物材料和硅电子学的集成。本课题使用激光分子束外延技术，以钛酸锶、钛酸钡、铝酸镧和掺杂锰酸镧等材料为主要研究对象，利用实时的RHEED和AFM/STM观测分析，以及非原位的XRD、HRTEM等分析测量，探索在Si基底上钙钛矿氧化物薄膜和多层膜的外延生长，研究Si基底上钙钛矿氧化物薄膜和异质结的生长机理、结构特性和物性，并研制具有电或磁或光特性的氧化物－Si异质结原形器件2～3种。