半导体氧化物纳米材料形态控制生长及机理研究

纳米材料的独特性能不仅取决于材料的组成、结构和尺度，而且与纳米粒子的维度和形态有重要的关系。本项目拟对半导体氧化物纳米材料形态的控制生长及其规律进行系统研究。采用气相沉积法，通过对反应过程和条件的精确控制以及工艺参数的优化，控制晶核的形成和生长过程，建立ZnO、SnO2纳米材料形态与工艺参数间的关系，实现纳米材料形态的可控生长。通过对不同工艺条件和生长阶段的纳米晶体组成、形貌、结构、生长取向的研究，分析其成核及择优生长规律以及相应的热力学、动力学过程，探讨各自的生长机理。对不同形貌ZnO、SnO2纳米材料的光致发光特性、受激辐射特性以及场发射特性进行研究，建立不同形态纳米结构与性能间的关系，并实现纳米材料形态、结构的可控生长及性能的可调，为纳米半导体的元器件化奠定基础。