GaAs HBT高频功率晶体管无条件稳定特性的研究

GaAs HBT功率晶体管器件由于工作频率高，功率密度大，线性度好，被广泛应用于射频及微波功率放大器芯片的研制。HBT器件频段内外的自激振荡等稳定性问题是功放芯片设计及测试中的难题。造成器件振荡的重要原因是器件仅在较高频率段无条件稳定，而在较低频率段有条件稳定。本项目的思路是采用器件物理参数的优化设计，扩展器件的无条件稳定范围，避免使用外加的有损稳定网络。本项目将研究器件小信号物理模型参数与器件无条件稳定特性的关系，小信号模型参数的优化选取，器件材料及结构尺寸参数的优化设计等。项目目标是采用TCAD等器件模拟软件，基于优化的小信号模型参数，得到具有多频率段无条件稳定特性的GaAs HBT 功率管的材料、结构尺寸等可制造性参数。