场致电子发射碳化硅纳米棒的研制及其特性研究
基本信息
批准号：90201020
项目类别：重大研究计划
资助金额：24.00
负责人：邓少芝
学科分类：
依托单位：中山大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈建,佘峻聪,周军,郑新国,王晓芳,柯彦淋
关键词：
碳化硅场致电子发射准一维纳米材料
结项摘要
以探索新的冷阴极材料为目标，以拥有自主产权的制作技术为起点，系统开展碳化硅纳米棒催化生长机理、场致电子发射特性及机理的研究。通过对粉体、有序排列和单根碳化硅纳米棒的研究，掌握材料结构、物理特性、工作环境等因素对电子发射的影响规律，探索能够实现低电压发射的物理机制和关键材料技术，并开拓半导体准一维纳米材料场致发射规律研究.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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