纳米半导体薄膜结构与特性研究

建立了双重电磁场激励驱动下的等离子体增强CVD系统。完成了纳米硅薄膜制备条件的优化选择。利用HREM，Raman散射谱，XRO，STM，电导测量，压阻效应实验，分形分析和计算机模拟等技术，首次对纳米硅薄膜的奇特结构和优异特性作了表征。纳米硅薄膜超微晶粒尺寸在3-9nm，界面宽度约2-4原子层，晶态体积分数与界面体积分数各占约50%，具有自相似性分形特征，首次提出DRLA模型，实验、模拟和理论结果符合得很好。首次从动力学观点论证了纳米硅薄膜的生长机制。实验发现，纳米硅薄膜具有高压阻效应，有大的压阻系数和高电导率，可发展压力和加速度传感器应用。纳米硅的结构参数表明已具有量子点结构，可开发量子功能器件。本项目的成果受到学术界的广泛重视。