用液相外延技术制备极低缺陷密度的Si/SiO2SOI结构

基本信息
批准号:69776006
项目类别:面上项目
资助金额:11.50
负责人:季振国
学科分类:
依托单位:浙江大学
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:卢殿通,袁骏,丁扣宝,樊瑞新
关键词:
SOI结构液相外延横向外延生长
结项摘要

本项目用挤压法和浸渍法液相外延技术在硅片上生长SOI结构;利用高纯金属熔体吸除硅片中的有害金属杂质;利用在光刻窗口上选择性液相外延制备微型硅部件;对生长的SOI结构用多种测试手段进行了表征,本项目主要取得以下成果:1、通过液相外延横相生长技术获得了质量较好的SOI结构;2、利用高纯金属熔体成功地降低了硅片中的金属杂质;3、利用光刻窗口限制生长区域,制备了可用于微机械的微型硅部件;4、制备并用多种分析测试手段研究了离子注入SOI材料的结构及电学性能。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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项目类别:面上项目
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