用液相外延技术制备极低缺陷密度的Si/SiO2SOI结构
基本信息
批准号：69776006
项目类别：面上项目
资助金额：11.50
负责人：季振国
学科分类：
依托单位：浙江大学
批准年份：1997
结题年份：2000
起止时间：1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：卢殿通,袁骏,丁扣宝,樊瑞新
关键词：
SOI结构液相外延横向外延生长
结项摘要
本项目用挤压法和浸渍法液相外延技术在硅片上生长SOI结构；利用高纯金属熔体吸除硅片中的有害金属杂质；利用在光刻窗口上选择性液相外延制备微型硅部件；对生长的SOI结构用多种测试手段进行了表征，本项目主要取得以下成果：1、通过液相外延横相生长技术获得了质量较好的SOI结构；2、利用高纯金属熔体成功地降低了硅片中的金属杂质；3、利用光刻窗口限制生长区域，制备了可用于微机械的微型硅部件；4、制备并用多种分析测试手段研究了离子注入SOI材料的结构及电学性能。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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