本项目用挤压法和浸渍法液相外延技术在硅片上生长SOI结构;利用高纯金属熔体吸除硅片中的有害金属杂质;利用在光刻窗口上选择性液相外延制备微型硅部件;对生长的SOI结构用多种测试手段进行了表征,本项目主要取得以下成果:1、通过液相外延横相生长技术获得了质量较好的SOI结构;2、利用高纯金属熔体成功地降低了硅片中的金属杂质;3、利用光刻窗口限制生长区域,制备了可用于微机械的微型硅部件;4、制备并用多种分析测试手段研究了离子注入SOI材料的结构及电学性能。
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数据更新时间:2023-05-31
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