生长超薄GaAlAs外延层的液相外延技术研究

本项研究的主要内容，是用液相外延技术生长超薄GaAlAs外延层，并探索其生长规律。原计划采用两种方法，即低温液相外延技术和温差法液相外延技术，同时进行此项研究，结果前一种方法取得了成功。不仅用低温液相外研制得了超薄（达量子尺寸）GaAlAs外延层，更重要的是首次摸清了低温液外延的生长条件，生长机理和生长规律，这些结果迄今尚未见国内外报导。本项研究的结果，为今后应用液相外延技术制作大功率GaAlAs激光器的量子阱光电子器件提供了良好的基础。此外，在本项研究中设计的“双层石墨舟”可以排除“氧心”对液相外延的危害，明显地提高外延的质量和重复性。这项设计具有独创性。