低能离子束辅助沉积非晶GeSb薄膜的准分子激光诱导相变

研究了双元素靶低能（100-500ev）V(+)或Ar(+)离子束辐助沉积非晶GeSb光学相变记录薄膜的合成和优化的工艺参数，以及合成膜在脉宽为17ms、波长为192nm的准分子激光辐照下的非晶到晶态的相变过程。结果表明，离子束辅助沉积可获得组份精确可控、粘着力强、内应力低、较至密的非晶态GeSb薄膜。当Ge含量为14%时，激光诱导的阈值能量为55mJ/cm(2)。在阈值附近，激光能量对相变后膜的微结构有较大的影响。