ULSI中铜互连线的研究
基本信息
批准号：69936020
项目类别：重点项目
资助金额：120.00
负责人：夏洋
学科分类：
依托单位：中国科学院微电子研究所
批准年份：1999
结题年份：2003
起止时间：2000-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：韩阶平,陈宝钦,田如江,申作成,欧文,王文泉,赵玉印,张国海,吴德馨
关键词：
铜布线互连线超大规模集成电路
结项摘要
研究深亚微米集成电路芯片中介质层沟槽(包括孔)的制作,薄包层材料和制作,铜的选择性电化学沉积填充,全局平坦化等技术;深亚微米沟槽铜沉积机制,电脉冲失效和抗电迁移特性;集成电路芯片中以铜代铝作互连线,该互连线有低电阻率,低功耗,低RC值和高抗电迁移能力;同时研究以铜代铝高性能电感制作工艺及铜互连线在RFICs电路上的应用.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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