场效应纳米器件中表面/界面的行为与控制

利用准一维半导体性纳米材料构筑的场效应纳米器件具有性能优异、制造工艺简单、用途广阔和可构成多类器件的优势，有可能发展为纳米器件的主流类型。由于这类纳米器件的表面和界面尺寸纳米化的结果,使得表面层上和界面层上的结构和性能表现出特异性。近年来，本项目组在碳纳米管、硅纳米线和碳化硅纳米晶须的制备、提纯、分散、修饰、排布、焊接和场效应管纳米器件构筑等方面做了大量探索性研究工作，拟进一步深入研究和对比分析半导体性碳纳米管、硅纳米线和碳化硅纳米晶须构筑的肖特基势垒场效应管纳米器件的表面和界面行为及其对器件性能的影响和控制问题，研究纳米材料与金属电极的接触界面层结构和性能以及优化的纳米焊接形成方法，研究内容主要包括：（1）纳米器件表面层和界面层的结构和表现出的特异性，（2）半导体纳米材料与金属电极接触界面肖特基势垒结或者欧姆接触界面的形成条件和可靠性；（3）纳米器件结构的优化设计和构筑制作技术。