周围神经电损伤后形态结构和离子通道的改变

采用免疫组织化学技术、电镜技术与电生理技术相结合的方法，对神经电损伤程度进行分类，着重观察血管病变对神经形态及功能的影响以及雪旺氏细胞细胞动力学改变。在此基础上，采用免疫荧光技术、膜片钳技术、分子生物学技术对电损伤后周围神经溃变与再生过程中脊髓背根神经节电压门控性离子通道的基因表达、神经轴膜离子通道的数量、分布、膜电学参数变化进行检测。并与形态结构和常规电生理结果相比较，着重研究电流对通道的损伤作用，以及离子通道的改变对神经溃变与再生的影响。以探索电损伤后周围神经系统电压门控型离子通道的变化规律，从膜上大分子功能蛋白的角度揭示神经电损伤的病理机制,为临床预防与治疗神经电损伤提供理论指导和实验依据。