应变型超晶格量子阱电极光电化学性能的研究

本项目利用能带工程设计生长多种近表面InxGa1-xAs/GaAs量子阱电极。研究了其光电化学能级量子化效应及其影响因素、光电转换性能及机制。探讨界面热力学性能和界面电荷转移机制。提出了电子界面隧穿电荷转移模型。并利用电解液电反射谱比较了在不同电解液中近表面量子阱的界面行为，通过快速傅里叶方法分析电极的弗朗兹—凯尔迪什振荡计算了空间电荷层电场强度，观察到由电子隧穿电荷转移对空间电荷层电场的影响。并研究其量子限制斯塔克效应。对应变型/晶格匹配型复合量子阱结构电极的光电转移性能进行了研究，利用激子强吸收拓宽了光电化学电池的光谱，并测量了其表面态寿命（3×10（-3）-10（-2）s）。