基于准一维半导体高性能场效应器件的研究

以ZnO、ZnS、CdSe纳米线、带等II-VI族准一维半导体为主要研究对象，制备基于准一维半导体的场效应器件，对准一维半导体的电输运特性、器件化应用进行研究。准一维半导体的合成将采用气相蒸发、激光辅助气相蒸发等方法进行，并通过工艺的改进与创新，实现可控n-、p-型掺杂。利用光刻、电子束直写等成熟技术，制备准一维半导体场效应器件，对器件的制备方法、工作机理展开深入研究。进一步通过改善制备工艺、优化器件结构等措施提高纳米场效应器件的性能，使其具有接近甚至超越相应薄膜器件的性能，真正发挥纳米材料的性能优势。另外，通过使用PET等柔性透明基底取代传统硬质基底，拓展准一维半导体器件在宏观电子学、柔性电子学等新领域中的应用，为下一步研究开辟方向。