MeV级cluster-晶体表面碰撞动力学

MeV级Cluster离子Cn(+)、Sin(+)以不同能量、不同剂量分别注入LiF晶体和半导体n-Si（100）。通过紫外吸收单谱与差分谱测量、幔e(+)束分析及DLTS测量，初步揭示了团区和单粒子区的存在，观察到了cluster离子产生损伤的高效率、不同缺陷类型和浓度与离子剂量、能量、尺寸间的相关性以及在半导体材料中出现的一些在单离子注入相同样品中没有发现的新的缺陷能级。从理论上计算了C2(+)注入LiF的团区深度为0.297μm，而慢e(+)束分析确定的团区深度为0.276μm两者相当接近。这些结果有助于推断cluster入射到介质中的碰撞过程与规律、确认或发展模型理论，也为cluster注入表面改性提供了一些实验证据。