MeV重离子注入光学晶体光波导的形成机理研究

离子注入光电晶体可以通过调制材料近表面的折射率改变而形成光波导，是一种光电晶体光波导形成的有效方法。MeV重离子低剂量的方法形成波导区折射率增加型光波导即具有扩散、离子交换光波导的传输损耗相对小一些的优点，又兼具离子注入形成的光波导的优点，是一种有着潜在应用背景的新方法、新模式。本项目将在MeV重离子注入光电晶体波导结构的基础上，研究波导层的导模特性，通过离子束刻蚀等方法进行有控制的分层减薄，利用SIMS、背散射/沟道、高分辨电镜、Raman光谱等综合技术研究波导层的晶格结构变化，研究注入条件与折射率改变的关系，寻找出规律，建立注入条件与波导特性的理论模型，继而在更多的晶体上进行验证，进一步修正完善其理论模型。重离子低剂量注入光电晶体波导的机理探讨，不但完善了离子注入光电晶体光波导的形成机理，还为离子注入形成波导结构提供理论基础，对于波导结构的设计与应用也具有重要的意义。