低受限度生长体系晶体结晶习性与形成机理

基本信息
批准号:59772002
项目类别:面上项目
资助金额:14.00
负责人:施尔畏
学科分类:
依托单位:中国科学院上海硅酸盐研究所
批准年份:1997
结题年份:2000
起止时间:1998-01-01 - 2000-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:王步国,李汶军,田明原,庄击勇
关键词:
形成机理晶体生长结晶习性
结项摘要

以高温溶液体系生长偏硼酸钡单晶,热液体系生长氧化钛、氧化锆、氧化铈、氧化锌、氧化铝和非氧化物钨酸铅、硫化锌、氟化钙、氯化钠等微晶和纳米晶为研究对象,研究了生长条件与晶体生长习性的关系。以“负离子配位多面体生长基元模型”为基础,利用各种测试手段,结合计算机模拟和计算,以生长基元角度建立和阐述了上述晶体的形成机理,合理地解释了上述晶体的生长习性,丰富和发展了生长基元模型,并利用该模型实现了晶体生长形态调控和同质变体晶体物相调控。在理论和实践上丰富和发展了晶体生长理论,共发表学术论文二十二篇,其中十七篇被SCI收录。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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