非理想等离子体中电子输运系数的理论计算

本申请拟借助量子统计物理中有限温度格林函数的Feynman图展开方法和广义线性响应理论，建立在较宽密度或耦合强度范围内计算非理想等离子体中电子输运问题之系统的全量子论的理论方法。发展其精确可靠的数值计算方法，完成计算电子输运系数的高效程序。通过理论分析和数值计算，系统研究非理想等离子体中的电子输运问题，特别是等离子体屏蔽效应对电子输运系数的定量影响。

借助有限温度格林函数方法和线性响应理论，在无规相近似和T矩阵近似下，确定了计算非理想等氢离子体中电子输运系的理论框架，得到了电导率和相应关联函数的计算公式，制定了相应的数值计算方案，完成了主要程序的编制。此外，研究了弱耦合等离子体中原子结构、辐射跃迁强度、及离子碰撞过程随德拜半径和磁场强度的变化关系。