β-C3N4超硬膜电弧-射频等离子CVD合成

基本信息
批准号:59571047
项目类别:面上项目
资助金额:10.00
负责人:吴大维
学科分类:
依托单位:武汉大学
批准年份:1995
结题年份:1998
起止时间:1996-01-01 - 1998-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:蔡凤鑫,刘昌,栗增,谢桂京,孟宪权,张志宏,石瑛,李世宁,邱进军
关键词:
等离子体源离子注入电弧射频CVD氧化碳
结项摘要

本项目用等离子气相化学反应,多弧离子镀和直流磁控溅射方法研究氮化碳超硬膜合成,采用过渡层方法解决氮化碳附着力;强迫晶化技术使氮化碳生成结晶态;超晶格薄膜结构获得氮化碳复合膜的超高硬度;氮化碳的结构主要是β相、α相和立方相等硬质结晶相,成功地避免了石墨相的析出。氮化碳复合膜的合成工艺具有生长速率高、薄膜质量好,设备简单,是一条高效,优质合成氮化碳复合超硬薄膜的新方法,具有广阔的应用前景,适合批量化生产。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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