半导体纳米线应变结构及电输运性能的研究

利用电子显微学方法进行半导体纳米线应变的研究，了解和掌握半导体纳米线应变的特性和机理，建立半导体纳米线应变结构与电子输运性能的内在联系，对半导体纳米线应变结构影响电输运性能做出基础性规律研究。本项目针对半导体纳米线应变机理的基础性科学问题，以半导体纳米线应变与电输运性能相互关联为主要内容，在研究应变半导体纳米线不同层次的微结构与电输运性能关系的基础上，探讨按高技术中所需特定功能去进行微结构设计，借助于当代先进实验技术可以实现对半导体纳米线应变结构甚至电学性能的设计、控制。揭示其内涵深刻的物理、化学过程和特殊效应。为发展新型的应变半导体纳米线材料和性能优异的纳电子器件（如超敏感探测器）提供科学依据，为解决半导体纳米材料科学技术发展中的基础性问题做出贡献。