肖特基源漏碳化硅MOSFET是针对目前普通的碳化硅MOS结构存在问题而提出的一种新型结构的器件,它的工艺简单,避免了工艺中超高温处理的源漏串联的电阻对器件的不良影响,能够明显地提高MOS的特性,并且有利于在集成电路中应用。通过本项目对这种器件工作机理和实验的研究,为实现碳化硅MOS器件和集成电路探索新的途径。
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数据更新时间:2023-05-31
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