一种新颖结构的碳化硅MOSFET的研究
基本信息
批准号：60276047
项目类别：面上项目
资助金额：7.00
负责人：张义门
学科分类：
依托单位：西安电子科技大学
批准年份：2002
结题年份：2003
起止时间：2003-01-01 - 2003-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张玉明,汤晓燕,郜锦侠,陈锐标,王雷,周拥华,王源
关键词：
碳化硅肖特基MOSFET
结项摘要
肖特基源漏碳化硅MOSFET是针对目前普通的碳化硅MOS结构存在问题而提出的一种新型结构的器件，它的工艺简单，避免了工艺中超高温处理的源漏串联的电阻对器件的不良影响，能够明显地提高MOS的特性，并且有利于在集成电路中应用。通过本项目对这种器件工作机理和实验的研究，为实现碳化硅MOS器件和集成电路探索新的途径。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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