研制了具有良好的介电常数负温度系数和铁电特性的Pb1-x Srx Ti O3系铁电陶;采用MOD工艺和磁控溅射工艺制备了Lal-x Srx Co O3和La Ni O3导电薄膜;薄膜晶化温度高于550℃方电阻<300Ω;制备了PLZT和PST铁电薄膜的介电温谱、铁电特性、开关特性以及开关特性与温度的关系。PST铁电薄膜的开关电荷随温度升高而减少,温度系数为95nC/cm(2)·K。制备出φ1mm的平析电容器型敏感单元利用铁电薄膜的电畴反转特性,采用对称补偿结构,研制以读出传感模式工作的铁电薄膜红外探测器。读出电荷对温差的响应初步达到3.2nC/cm(2)·K。
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数据更新时间:2023-05-31
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