本项目主要研究如何用热丝CVD法在硅衬底上沉积纳米金刚石。在对金刚石形核研究的基础上,我们在硅衬底上采用降低气压等办法首次成功地用常规热丝CVD法长出20-100纳米金刚石。随后我们又采用在H2-CH4混合气体中加Ar的办法将金刚石尺寸降至4-30 纳米。在用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜及近场喇曼等手段观察的基础上,我们对Ar的作用以及纳米金刚石形成机理进行了分析。本工作创新之处在于常规的热丝CVD法沉积出4-30纳米金刚石,这是国内外还未见到过报导。虽然本工作在生长纳米金刚石方面已取得突破性进展,但要形成供研究其发光机理用的3-5纳米金刚石,难度还很大。需继续努力。
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数据更新时间:2023-05-31
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