基于Talbot效应的新型可调掺镁铌酸锂二维光子微结构位相阵列器的研究

利用二维光子微结构晶体实现光振幅纯位相周期分布场是一项具有挑战性新近出现的课题。本课题提出在掺镁铌酸锂晶体基片上，利用成熟的半导体光刻技术工艺，并采用背向反转短脉冲极化电场技术，制作六角二维光子微结构位相阵列。应用外加电场调制二维光子微结构晶体的电光效应，实现光波在0-2π之间位相的连续改变，使掺镁铌酸锂晶体透光范围（5μm-320nm）内的任意光波透过该位相阵列器达到光束的光强均匀分布。与此同时，从理论上数值求解该二维光子微结构位相阵列结构的参数比，开展六角二维光子微结构位相阵列的设计研究。理论分析研究周期函数的菲涅耳衍射场分布E(x,y)随二维光子微结构位相阵列的周期变化，开展微结构外加电场调制对实现振幅纯位相周期分布场影响的理论研究。探索实时精细调控位相分布的电场调制技术，获得均匀的光阵列强度分布，由此发展新型微光学位相阵列器件。