电介质--半导体界面上带电规律机理与应用

基本信息
批准号:59677024
项目类别:面上项目
资助金额:11.00
负责人:徐传骧
学科分类:
依托单位:西安交通大学
批准年份:1996
结题年份:1999
起止时间:1997-01-01 - 1999-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:李仰平,安春迎,崔秀芳,张峰,董小兵,赵长毅
关键词:
电介质电力电子器件表面绝带电
结项摘要

研究搞清介质与半导体界面的带电包括了静态接触带电和在电场和高温下形成的驻极带电。前者决定了器件的室温表面电场和耐压稳定性,后者决定了器件的高温表面电场和耐压稳定性。研究了常用保护材料与硅半导体(P型及N型)的接触带电规律,得出了带电序列。发现介质与硅半导体的接触带电实际上是由电介质与硅表面自形成的二氧化硅接触带电所决定的,与硅的类型无关。介质带电的正负与介质所含基团有关,含苯基易带正电,甲基易带负电。通过研究SP保护硅漆固化温度与介电温谱得出表面保护材料的驻极带电主要是由高温下离子电导所引起,通过提纯和加强固化工艺可控制器件带电特性。首次研制成功计算机联机测试的新型激光探针表面电场测试仪。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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