利用MOCVD方法在GaAs衬底上生长FeSe外延薄膜,在通过选择ZnSe缓冲层和优化生长参数获得高质量FeSe薄膜基础上,围绕FeSe中的基础性和关键性的物理问题开展以下几方面研究(1) FeSe材料的带隙Eg的重新确定,拟用磁光光谱包括磁光Kerr及MCD等,从实验上给出FeSe的半导体能带结构参数.(2) FeSe中高浓度载流子来源的缺陷分析及有效控制.(3)FeSe中的金属-绝缘体转变研究
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
早孕期颈项透明层增厚胎儿染色体异常的临床研究
泛"胡焕庸线"过渡带的地学认知与国土空间开发利用保护策略建构
气候对云南松林分生物量的影响研究
腐植酸调节砷酸盐生菜毒性作用研究
一类随机泛函微分方程带随机步长的EM逼近的渐近稳定
铁磁半导体Mn1-xCrxTe的优化生长及特性研究
高居里温度SiC稀磁半导体薄膜的制备、结构与磁性研究
铁磁/半导体双垒磁异质结生长及自旋共振隧穿特性研究
高居里温度弛豫铁电晶体的生长与结构性能研究