高居里温度铁磁半导体FeSe的优化生长及特性研究
基本信息
批准号：60501025
项目类别：青年科学基金项目
资助金额：6.00
负责人：单崇新
学科分类：
依托单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
批准年份：2005
结题年份：2006
起止时间：2006-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张吉英,冯秋菊,李炳辉,曹萍,孙建武,刘可为
关键词：
FeSe带隙确定半导体磁隧穿结高质量FeSe生长
结项摘要
利用MOCVD方法在GaAs衬底上生长FeSe外延薄膜，在通过选择ZnSe缓冲层和优化生长参数获得高质量FeSe薄膜基础上，围绕FeSe中的基础性和关键性的物理问题开展以下几方面研究(1) FeSe材料的带隙Eg的重新确定，拟用磁光光谱包括磁光Kerr及MCD等,从实验上给出FeSe的半导体能带结构参数.(2) FeSe中高浓度载流子来源的缺陷分析及有效控制.(3)FeSe中的金属-绝缘体转变研究
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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