高灵敏度隧道磁阻纳米颗粒膜的新型复合结构及技术基础

基本信息
批准号:60371001
项目类别:面上项目
资助金额:20.00
负责人:毕晓昉
学科分类:
依托单位:北京航空航天大学
批准年份:2003
结题年份:2006
起止时间:2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:阮中健,陈立强,张春霞,李合非,邱志勇,袁晓瑜
关键词:
磁传感器磁耦合磁场灵敏度纳米颗粒膜隧道磁电阻(TMR)
结项摘要

本项目利用软磁薄膜与纳米颗粒薄膜的磁耦合效应,设计提出了一种旨在解决阻碍隧道磁电阻纳米颗粒膜作为高灵敏度磁传感器材料应用的软磁化问题的新型结构,将高饱和磁化强度的软磁薄膜与隧道磁电阻纳米颗粒薄膜以条状形式构成交替排列的微结构,提高纳米颗粒薄膜的隧道磁电阻效应在低磁场(<10 Oe)下的磁场响应,为突破低磁场下高灵敏度、高性价比的节能型磁传感器研制中的"瓶颈"技术打下基础。系统研究交替排列的条纹间距在亚微米到纳米范围内变化条件下,软磁薄膜的饱和磁化强度、矫顽力、磁各向异性以及软磁薄膜的厚度、条纹间距、条纹宽度对软磁薄膜与纳米颗粒膜的磁耦合效应的影响规律,最大限度地强化低场诱发的条纹间磁化与磁性颗粒的耦合作用,提高纳米颗粒膜的磁场灵敏度,为研制节能型高灵敏度磁传感器奠定理论与技术基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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