一种新型硅纳米线装配技术的研究

在纳米集成电路中，采用自底向上的装配方法，能够突破集成电路的物理极限，已经引起了学术界的广泛关注。本研究项目主要思想是提出装配硅纳米线阵列的新方法，即采用温度场加磁场的控制方法装配出硅纳米线阵列，核心研究内容是建立一套适合大规模硅纳米线阵列装配技术的理论和实现方法，包括：（1）用温度场控制的方法进行平行硅纳米线的装配技术的实现，包括理论解释和具体实现；（2）建立完整的稀磁硅纳米线的制造理论和方法；（3）用磁场控制方法进行正交硅纳米线装配技术的实现；（4）用温度场加磁场的控制方法，进行多层结构的装配，并通过一个具体的集成电路的实现来验证装配方法的可行性。遵循以上思想，能够完成硅纳米线集成电路的完整装配过程，为未来纳米集成电路制造技术的发展打下基础。