超低飞高条件下硬盘磁头的运行姿态建模与测量方法

硬(磁)盘存储器是未来仍将长期采用的大容量快速信息存储主导载体形式。与半导体存储、光存储等方式相比，磁盘存储器具有更高的性价比，技术潜力巨大，存储密度的提高已经超过摩尔定律的预言，呈年翻一翻的增长态势。伴随着磁头飞高(即头盘间距)突破5纳米极限设计理论的提出，磁盘存储密度由现在的100Gb/sq-in提高到1000Gb/sq-in(即1T位/平方英寸)成为可能。由于磁盘的道密度、位密度、磁头飞高皆已进入纳米尺度，在超低飞行状态下磁头与介质磁粒、微尘、盘面间处于微磁场/流场环境中分子级的复杂相互作用，从而产生了磁头纳米级精度的设计、制造、运行与测控问题。本项目旨在研究超低飞高条件下磁头的运行姿态建模和测量方法，主要研究内容包括：磁头飞行姿态参数确定、磁头与介质磁粒及微尘间的分子级相互作用机理、磁头的飞行姿态建模与纳米精度测控方法。研究结果可为新型超高密度磁盘的磁头设计与运行测控提供理论基础。