固体C60/GaAs和InP等化合物半导体异质结形成机理

（1）首次发现C60和C70固体与GaN接触均是强整流结，其整流比大于10（6）和10（5），理想因子接近于1，典型势垒高度分别为0.535和0.431eV。（2）首次发现固体C60/n-InP和p-InP都易于形成很好异质结，其整流比分别大于10（5）和10（4），典型势垒高度分别为0.644和0.719eV。这一结果大大弥补了InP不易和金属形成良好整流接触的缺陷。此外发现在C60/InP界面上有一能级为Ec-0.56eV的电子态。（3）首次发现C70固体/n-和P-GaA5为优质异质结，整流比均大于10（6），理想因子近于1，典型势垒高度分别为0.784和0.531eV，并发现在C70/GaAs界面上有能级分别为Ec-0.640和Ev+0.822eV的电子和空穴陷阱。（4）首次提出了一个测量高浓度甚深深能级方法，发现C70固体的两种空穴陷阱。成功解释C60（C70）钝化半导体及与之成结机理。