SiGe双极异质结器件基于自身能带结构特点,在高频大功率方面具备独特优势。在此领域中宽带、移动通讯及GPS合雷达的部分应用频带处于1-2GHz,无限局域网应用频率2.4-5.8GHz,SiGe HBT及其IC适合此要求,并完全可能取代GaAs器件。因此SiGe功率HBT已成为国际高速器件领域的研究热点和主要工业国家及著名企业激烈竞争的重要商业领域。在我国,每年移动通讯设施具有2000万台需求量,形
{{i.achievement_title}}
数据更新时间:2023-05-31
Automatic 3D virtual fitting system based on skeleton driving
多能耦合三相不平衡主动配电网与输电网交互随机模糊潮流方法
脉冲直流溅射Zr薄膜的微结构和应力研究
基于自适应干扰估测器的协作机器人关节速度波动抑制方法
孕期双酚A暴露与自然流产相关性的Meta分析
新型SiGe异质结双极器件低剂量率辐照损伤机理研究
SiGe窄禁带异质源区功率MOS器件研究
微波大功率GaAs PIN二极管器件模型及关键工艺研究
SiGe/Si肖特基异质结双极型晶体管的研究