反铁磁薄膜对其相邻铁磁层的钉扎是巨磁电阻自旋阀和磁隧道结的最关键部分之一。目前应用中的反铁磁钉扎材料适合最高300℃左右的处理工艺,以MgO为势垒层的新一代磁隧道结及磁性随机存储器的相关工艺亟待发展截止温度更高,兼具钉扎场大、化学稳定性好的钉扎系统。奈耳温度高的有序相反铁磁材料是最具潜力的发展对象,最近我们获得的具有极高奈耳温度的CrPt有序相反铁磁钉扎体系表现出前所未有的温度与化学稳定性。本项目拟进一步从CrPt及其它一、两种高奈耳温度的有序相反铁磁材料出发,通过赝二元固溶体方式,降低有序相转变势垒,促进反铁磁层的有序化过程,同时调节反铁磁磁矩大小、取向及其磁各向异性能,增大钉扎场,并系统研究钉扎作用与反铁磁磁矩大小、取向及其磁各向异性能之间的本质关系,最终发展出截止温度高、其它各项性能优越且有序化过程简易的赝二元有序相反铁磁钉扎体系,获得高稳定性的自旋阀、隧道结,满足它们的发展所需。
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数据更新时间:2023-05-31
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