基于微图形化肖特基结的同质外延GaN整流器研究

得益于氮化镓（GaN）宽带隙和强击穿电场等材料性能优势，GaN肖特基整流器可以在实现高电压操作的同时，获得低串联电阻和高开关速度等优异器件性能；将其应用于现代大功率电源系统，可以有效降低电能转换过程中的无益损耗，显著提高电源的综合电能利用效率。.本项目针对GaN肖特基整流器发展中所面临的关键材料质量和器件设计问题，拟研制一种制备在GaN同质外延薄膜上并且基于微图形化肖特基结的新型整流器，即：通过在低缺陷密度GaN体材料衬底上进行同质外延生长，大幅度提高器件外延层的晶体质量；通过设计并制备具有特定尺寸、形状和排布图案的微型肖特基电极阵列，有效降低整流器的反向漏电流并提高反向耐压。项目的目标是：通过从材料到器件的一体化研究，初步掌握在GaN衬底上进行同质外延生长的重要技术；获得微图形化肖特基结的最佳设计；完善器件制备工艺；并深入研究这一类型器件研制过程中的基本物理问题。