离子辐照制备太赫兹发射晶体的机理研究

本项目将借助于核分析技术和太赫兹时域光谱等测量技术，通过对多种条件下辐照的Si和GaAs晶体的微观结构和宏观性能进行测量和分析，系统研究辐照对太赫兹晶体发射性能的影响，即一方面研究辐照产生的缺陷结构与辐照条件的关系，另一方面探讨不同的缺陷结构及其分布对太赫兹晶体发射参数的影响，以期达到深入认识离子束辐照制备太赫兹发射晶体机理的目的，为利用辐照技术研制高性能太赫兹电光学器件提供数据和依据。