用团簇埋入自洽计算法研究氮化镓及其滞留光电导现象

用团簇埋入自洽计算法计算氮化镓的电子结构，计算镓空位和镁杂质造成的晶格局域崎变及局域化的电子结构改变，寻找亚稳态和稳态。通过比较亚稳态和稳态间的能量和能级差别，确定氮化镓中的长时间滞留光电导现象与镓空位和镁杂质的关系。本课题的成功将促进氮化镓材料的全面广泛应用。也为半导体中杂质与缺陷的研究提供一个新的理论计算方法。