大注入条件下高发光效率GaN基LED有源区结构研究

大注入条件下高发光效率GaN基LED对通用照明的应用具有巨大的价值，它不但方便二次光学设计，而且还将显著降低光源制作成本和使用成本。但是在目前常用的技术水平下，大注入条件下LED发光效率显著下降，主要原因是大注入下有源区中俄歇复合和注入效率变差。本项目的研究目的是得到至少一种大注入下高效发光的LED结构，同时基于该结构对载流子注入、复合机制进行研究，发展大注入条件下的器件物理。本项目的主要研究内容包括：（1）电子阻挡层和电子驻留层结构的研究；（2）双异质结构LED的研究；（3）AlInGaN/InGaN多量子阱LED研究。通过研究解决载流子的高效率注入，应力可控的高质量InGaN有源区生长，AlInGaN垒层的结构对InGaN复合机制的影响等问题，从而解决半导体照明的关键技术和理论问题。课题申请人及其课题组近年来一直致力于半导体照明的研究，取得了富有特色的研究成果，积累了大量的经验。