GaAs量子阱中电子自旋偏振弛豫和输运的超快激光研究
基本信息
批准号：60378006
项目类别：面上项目
资助金额：7.00
负责人：赖天树
学科分类：
依托单位：中山大学
批准年份：2003
结题年份：2004
起止时间：2004-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：徐耕,李熙莹,王嘉辉,寿倩,邓莉,刘鲁宁,陈晓文
关键词：
自旋输运光注入自旋电自旋弛豫自旋电子器件电子自旋偏振
结项摘要
本项目采用圆偏振激光激发GaAs量子阱，光注入导带自旋偏振电子。采用飞秒时间分辨和微米空间分辨泵浦-探测饱和吸收光谱技术研究电子自旋偏振的时间弛豫和空间输运以及偏置电压对自旋偏振输运的影响，弄清电子自旋偏振退偏振的物理机制及其与量子阱结构的关系。首次提出电子自旋偏振输运尺度的标度问题，并给出一种实验标度方法，指出目前报道的电子自旋偏振输运的初步研究可能低估了输运尺度。本项目的开展将为半导体自旋电子
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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