本项目采用圆偏振激光激发GaAs量子阱,光注入导带自旋偏振电子。采用飞秒时间分辨和微米空间分辨泵浦-探测饱和吸收光谱技术研究电子自旋偏振的时间弛豫和空间输运以及偏置电压对自旋偏振输运的影响,弄清电子自旋偏振退偏振的物理机制及其与量子阱结构的关系。首次提出电子自旋偏振输运尺度的标度问题,并给出一种实验标度方法,指出目前报道的电子自旋偏振输运的初步研究可能低估了输运尺度。本项目的开展将为半导体自旋电子
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数据更新时间:2023-05-31
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