广义位错与压电磁复合材料微结构干涉的模型与分析方法

广义位错(包括位错和向错)与压电磁复合材料微结构(包括增强相，界面层，缺陷等)在力电磁多场耦合下的干涉机理是该类材料使用于高科技领域丞待研究的问题，也是复合材料细微观力学的基本理论问题之一。它对于研究这类材料在多场耦合条件下的位错理论与强韧化机理具有重要的理论意义和应用价值。本项目通过建立在力-电-磁耦合作用条件下，反映广义位错和压电磁复合材料微结构特性的细观模型，运用并发展求解复杂力学模型的现代数学分析与数值模拟相结合的方法，研究广义位错与微结构包括增强相、界面层缺陷(裂纹，孔洞，硬质夹杂，滑错等)、界面层物理几何条件以及电磁特性等发生耦合干涉的定量关系。提炼反映基本耦合性能的主要参数，总结干涉效应的简明规律，为设计和制备安全有效服役的压电磁复合材料提供科学依据，同时推进非均匀功能复合材料耦合力学的发展。