TM（Co、Cu、Ga）掺杂ZnO稀磁半导体结构和磁性能的研究

稀磁半导体材料是当前先进材料中最活跃的前沿科学研究领域之一，有望给新一代微电子器件工业带来一场革命。 这种材料能投入应用的必要条件就是在室温下保持铁磁性。因此，如何提高稀磁半导体材料的居里温度就成了国际研究的热点。要提高稀磁半导体材料的居里温度，首先就要弄清铁磁性的来源。这是目前迫切需要解决的科学基本问题。本项目将采用先进的同步辐射近边X射线吸收精细结构光谱、扩展边X射线吸收精细结构光谱和X射线光电子谱技术、X射线衍射(XRD)结构精细分析、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等设备系统地研究TM（Co，Cu, Ga）掺杂ZnO氧化物半导体材料的结构。确定磁性原子和非磁性原子在ZnO氧化物半导体材料中离子价态、位置，分布以及周围结构。从原子层次上揭示稀磁半导体的磁性来源问题。进一步探索研制开发新型高居里温度稀磁半导体材料。