改善聚硅烷单体及聚合物合成条件,大幅度提高合成产率,缩短反应时间,聚硅烷产品为树脂状固体,经热分析在300℃前不失重,Tg在80℃左右,可用作高分辨光致抗蚀剂.对不同溶剂同一聚硅烷溶液及同一溶剂不同聚硅烷溶液的准分子激光化学反应研究表明,聚硅烷的结构和荧光猝灭作用对聚硅烷的激光降解量子产额有较大影响.聚硅烷膜的准分子激光化学反应研究及光刻试验表明减少光刻辐照脉冲数和入射剂量是实现亚微米光刻和好的图像转换质量的关键,应从聚硅烷的荧光猝灭和改变聚硅烷结构二方向努力.目前 在入射剂量近100(mJ/cm(2)·pulse)条件下1-3脉冲实现了亚微米图像转换,最小线宽0.53μm(2).发现了硅片上聚硅烷膜经O2-RIE转化所成二氧化硅膜C-V曲线改善新现象.
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数据更新时间:2023-05-31
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