界面俄歇电子谱峰形分析

界面研究的一个基本方面，是探讨界面原子和化学态和电子态。它包括不同元素原子间的成键状况和局域电子态，在各种电子能谱中，只有俄歇电子谱因其俄歇电子出射过程的高度局域性而可以得到界面各个深度剖面的上述信息。我们发展了俄歇电子谱的谱峰数据处理和分析技术，并辅以因子分析（Factor analysis）法，得到了半导体元素原子间成键信息和价电荷转移量，此项研究结果有推广普遍意义，以GaAs/Si为例 ，发现界面处Si 有两种化学态。一部份Si原子与As原子键合，并有0.3个P电子转移至As原子上，它的局域电子态密度幅值明显下降。而其他Si原子则保持纯元素Si-Si键 。Ga不与Si成键。上述研究为美国写稿人评述为新结果。多个国家来函索文。