锌铅钡氧化物等薄膜及其量子阱的MBE生长和特性研究

探测器、传感器、表面声波滤波器、短波长激光和发光二极管等光电子器件，在光通讯、光存储、国防、航天、航空等领域具有重要的应用价值。而锌铅钡氧化物等薄膜及其量子阱可能是制备上述光电子器件的理想材料，因为锌铅钡氧化物等通过调整组份可解决能带和晶格匹配问题，特别是它具有大的激子结合能，因此用锌铅钡氧化物等制备的光电子器件可在高温下工作。本课题拟用P-MBE和退火方法制备锌铅钡氧化物等薄膜及其量子阱，用间断间歇退火方法减少量子阱界面的互扩散，探讨生长和退火条件对形成薄膜和量子阱的影响，制备出高质量的锌铅钡氧化物等薄膜及其量子阱，而这是制备光电子器件的关键；用XRD、RHEED、AFM和PL光谱等研究锌铅钡氧化物等薄膜及其量子阱的结构，并鉴定其优劣；采用光谱技术等方法研究锌铅钡氧化物等薄膜和量子阱的结构参数与激子自发辐射和受激发射机理的关系。这项研究将为光电子器件结构的创新及优化设计提供物理依据。